Kontrola starzenia się tranzystorów mocy

Kontrola starzenia się tranzystorów mocy

Douha Othmen / Stéphane Lefebvre / Tarek Ben Salah

92,06 €
IVA incluido
Disponible
Editorial:
KS OmniScriptum Publishing
Año de edición:
2025
ISBN:
9786208939489
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Sobre IBD

Niniejsza książka przedstawia dogłębne badania eksperymentalne zachowania tranzystorów SiC JFET w wymagających zastosowaniach lotniczych. Opisano kompletną metodologię, w tym projekt zautomatyzowanego stanowiska testowego z wykorzystaniem LabView, testy wytrzymałościowe w celu określenia energii krytycznej oraz testy przyspieszonego starzenia w celu monitorowania zmian parametrów elektrycznych. Uzyskane wyniki podkreślają wiarygodne wskaźniki degradacji i otwierają interesujące perspektywy projektowania bardziej odpornych systemów elektronicznych w ekstremalnych środowiskach.

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