Principes fondamentaux du MOSFET HOI à trois couches en régime nanométrique

Principes fondamentaux du MOSFET HOI à trois couches en régime nanométrique

Lalthanpuii Khiangte / Rudra Sankar Dhar

73,77 €
IVA incluido
Disponible
Editorial:
KS OmniScriptum Publishing
Año de edición:
2026
ISBN:
9786209848070
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Sobre IBD

Ce livre se concentre sur le développement d’une nouvelle structure qui peut être utilisée en entreprise pour former un dispositif avec deux couches de Si déformées dans la région du canal formant un système nano-MOS à canal déformé tri-couche sur isolant (HOI), qui peut être mis en œuvre pour former un NanoFET. Le canal à hétérostructure basé sur le NanoFET, constitué de couches de Si doublement déformées et enrichies en mobilité, prenant en sandwich le SiGe déformé entre les deux, améliore de manière significative la mobilité des électrons par rapport au dispositif conventionnel de MOSFET à canal s-Si sur SiGe détendu, ce qui conduit à une amélioration des performances du dispositif sans mise en œuvre d’une mise à l’échelle additionnelle.

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