Podstawy trójwarstwowych tranzystorów MOSFET HOI w nano-reżimie

Podstawy trójwarstwowych tranzystorów MOSFET HOI w nano-reżimie

Lalthanpuii Khiangte / Rudra Sankar Dhar

72,47 €
IVA incluido
Disponible
Editorial:
KS OmniScriptum Publishing
Año de edición:
2026
ISBN:
9786209853197
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Niniejsza książka koncentruje się na opracowaniu nowatorskiej struktury, która może być stosowana w korporacjach do tworzenia urządzeń z dwiema naprężonymi warstwami Si w obszarze kanału, tworząc trójwarstwową naprężoną heterostrukturę kanału na izolatorze (HOI) nano-MOS, która może być zaimplementowana w celu utworzenia NanoFET. Kanał heterostrukturalny oparty na NanoFET składający się z podwójnie naprężonych warstw Si o zwiększonej mobilności, pomiędzy którymi znajduje się naprężony SiGe, znacznie zwiększa mobilność elektronów w porównaniu do konwencjonalnego urządzenia MOSFET z Si-Si na zrelaksowanym kanale SiGe, co prowadzi do poprawy wydajności urządzenia bez konieczności dodatkowego skalowania.

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