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Spirobifluoren (SBF) ist eines der am häufigsten verwendeten Gerüste für die Herstellung von organischen Halbleitern (OSCs) für die organische Elektronik. In den letzten zehn Jahren sind in der Literatur neue Generationen von SBF-Positionsisomeren aufgetaucht. Die verschiedenen Substitutionsstellen haben die Einstellung wichtiger elektrischer Eigenschaften für die künftige Konstruktion von Materialien ermöglicht. Diese neuen Generationen von organischen Halbleitern haben sich als vielversprechend für die Elektronik erwiesen, insbesondere wenn sie als Wirtsmaterial für thermisch aktivierte verzögerte Fluoreszenz-OLEDs verwendet werden. In diesem Artikel stellen wir diese neuen Generationen von SBF-Verbindungen sowie die Auswirkungen der Positionsisomerie auf die elektrischen Eigenschaften und die Leistung der Bauelemente vor. Wir zeigen, wie unterschiedliche strukturelle und elektrische Merkmale die elektrochemischen und photophysikalischen Eigenschaften von SBF-Regioisomeren beeinflussen und an diese angepasst werden können. Diese Forschung legt den Grundstein für die Entwicklung organischer elektronischer Materialien.
