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Lo spirobifluorene (SBF) è uno degli scaffold più comunemente utilizzati nella costruzione di semiconduttori organici (OSC) per l’elettronica organica. Negli ultimi dieci anni sono emerse in letteratura nuove generazioni di isomeri posizionali dell’SBF. Le varie posizioni di sostituzione hanno permesso di personalizzare importanti proprietà elettriche per la futura costruzione di materiali. Queste nuove generazioni di semiconduttori organici si sono rivelate molto promettenti per il campo dell’elettronica, in particolare se utilizzate come materiale ospite per gli OLED a fluorescenza ritardata attivata termicamente. In questo articolo presentiamo queste nuove generazioni di composti SBF e l’impatto dell’isomerismo posizionale sulle caratteristiche elettriche e sulle prestazioni dei dispositivi. Mostriamo come caratteristiche strutturali ed elettriche distinte guidino e possano essere adattate alle proprietà elettrochimiche e fotofisiche dei regio-isomeri SBF. Questa ricerca pone le basi per la progettazione di materiali elettronici organici.
