Modellazione e caratterizzazione di dispositivi ibridi

Modellazione e caratterizzazione di dispositivi ibridi

Ajaykumar Dharmireddy / Sreenivasa rao Ijjada

83,65 €
IVA incluido
Disponible
Editorial:
KS OmniScriptum Publishing
Año de edición:
2024
ISBN:
9786208321130
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Sobre IBD

Nei circuiti elettronici a bassa potenza e alta velocità, sono richiesti dispositivi con caratteristiche più ripide. La velocità del dispositivo aumenta con caratteristiche IV più ripide e la bassa potenza si ottiene facendo funzionare il dispositivo nella regione di sottosoglia. La misura delle correnti nella regione di sottosoglia rappresenta una grande sfida. Per ottenere una commutazione elevata, è necessario proporre un nuovo dispositivo con i vantaggi combinati di FinFET e TFET. Questa tesi propone un dispositivo ibrido con un valore SS < 25 mV/Dec. In questa tesi è stato utilizzato il TCAD Centaurus per la modellazione e la caratterizzazione del dispositivo.

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