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Injektionsstabilisierung von Laserdioden

Injektionsstabilisierung von Laserdioden

Harald Rhode

44,90 €
IVA incluido
Disponible
Editorial:
diplom.de
Año de edición:
2002
Materia
Ciencia: cuestiones generales
ISBN:
9783838660196
44,90 €
IVA incluido
Disponible

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Sobre IBD

Inhaltsangabe:Zusammenfassung: In der vorliegenden Arbeit wurde Aufbau und Betrieb eines injektionsstabilisierten Diodenlasersystems vorgestellt. Es wurden neben den allgemeinen Laserdiodeneigenschaften die speziellen und extrem vielfältigen Verhältnisse der Injektionsstabilisierung bezüglich Fangbereich und Stabilität theoretisch sowohl analytisch als auch numerisch untersucht. Die experimentellen Ergebnisse liegen in guter übereinstimmung mit der Theorie. Der Aufbau eines Diodenlasersystems in Littrow-Anordnung, welches sowohl für die Hochleistungsdiode als auch für die Führungsdiode geeignet ist, wurde vorgestellt. Da bei der Führungsdiode die Langzeitstabilität nur eine sehr untergeordnete Rolle spielt, wird die Führungsdiode nur mit Hilfe eines Gitters auf eine Linienbreite im Bereich einiger 100 kHz reduziert. Beide Laserdioden haben eine elektronisch stabilisierte Stromversorgung und werden mit Peltierelementen gekühlt. Dabei wird die Temperatur mit elektronischen Reglern auf +-10 mK konstant gehalten. Zuerst wurden die Eigenschaften der Hochleistungsdiode ohne Injektionsstabilisierung beschrieben. Dort ist vor allem die Modenstruktur und das Strahlprofil im Vergleich zu handelsüblichen Laserdioden kleinerer Leistung auffällig. Weiterhin zeigt die Diode unter bestimmten Rückkopplungsbedingungen chaotische Amplitudenoszillationen. Beim injektionsstabilisierten Betrieb läßt sich die Hochleistungsdiode auf die Moden des Führungslasers zwingen. Die Güte der Ankopplung ist sehr stark vom Strom und der Temperatur der Hochleistungsdiode abhängig, da nur innerhalb eines kleinen Bereiches das Verstärkungsmaximum der Hochleistungsdiode auf der injizierten Frequenz liegt. Die beste Ankopplung wird bei 5C und 190 mA erzielt. Bei höheren Injektionsstömen über 220 mA schwingen Eigenmoden der Hochleistungsdiode an und im Bereich von 300 mA ist zwar die injizierte Mode noch sichtbar, aber über 95% der Energie werden auf den Eigenmoden der Hochleistungsdiode emittiert

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