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Ce livre est une monographie spécialisée qui explore le dépôt et l’application de couches minces de nitrure d’aluminium (AlN) de haute qualité formées à basse température par dépôt de couches atomiques assisté par plasma (PEALD). Il détaille comment le PEALD surmonte les limites des méthodes traditionnelles à haute température, permettant la croissance d’AlN cristallin avec des interfaces nettes et une excellente uniformité sur des substrats sensibles à la température comme le silicium et le GaAs. Le livre présente systématiquement les recherches des auteurs, couvrant l’optimisation des processus, l’ingénierie des interfaces et la relation fondamentale entre les paramètres de dépôt et les propriétés des films. Il souligne en outre l’application fonctionnelle de ces films dans des domaines de pointe, démontrant leur rôle en tant que couches de passivation et de modification d’interface pour améliorer considérablement les performances des réseaux d’émetteurs nanophotoniques et des cellules solaires sensibilisées par points quantiques. Dans l’ensemble, il fournit un guide complet allant des fondamentaux de la science des matériaux à l’intégration de dispositifs optoélectroniques et énergétiques avancés.
