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Im Bereich der Elektronik nimmt der Bedarf an technologischen Verbesserungen stetig zu. Bisher war Silizium das beliebteste Material, um den aktuellen Anforderungen gerecht zu werden. Allerdings hat Silizium seine eigenen Grenzen; Siliziumbasierte integrierte Schaltkreise und die Skalierung des Silizium-MOSFET-Designs stehen vor Problemen wie dem Tunneleffekt, dem Einfluss der Gate-Oxiddicke usw., was zur Entwicklung alternativer Materialien geführt hat. Das wachsende akademische Interesse an Kohlenstoffnanoröhren (CNTs) als möglicher neuer Art von elektronischem Material hat zu erheblichen Fortschritten in der CNT-Physik geführt, einschließlich ballistischer und nichtballistischer Elektronentransporteigenschaften. Der Transport mit geringer Vorspannung in einer Nanoröhre kann über Entfernungen von mehreren hundert Nanometern nahezu ballistisch sein. Für nicht-ballistische CNT-Transistoren wurden erweiterte Modelle auf Schaltungsebene erstellt, die sowohl ballistische als auch nicht-ballistische Elektronentransportphänomene erfassen können, einschließlich elastischer Effekte, Phononenstreuung, Verformung und Tunneleffekte. Der Einfluss der Gate-Oxiddicke auf die Leistung nichtballistischer CNTFETs wurde in unserem Ergebnisabschnitt untersucht.
