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Neste estudo, investigámos as propriedades fÃsicas, estruturais, electrónicas, ópticas, elásticas, mecânicas, termodinâmicas e termoeléctricas de perovskitas CsSnX3 (X = Cl, Br) sem chumbo, amigas do ambiente, utilizando o método FP-LAPW com as aproximações GGA e GGA + mBJ. Os compostos estudados apresentam caraterÃsticas de semicondutores de bandgap direto com mistura iono-covalente nas ligações CsSnX3. Em particular, apresentam uma excecional absorção de luz e condutividade ótica, o que os torna adequados para uma aplicação especÃfica. As constantes elásticas dos compostos e os vários módulos foram determinados pela primeira vez. Os cálculos das propriedades de transporte revelam um coeficiente de mérito elevado, próximo da unidade à temperatura ambiente. Os materiais de perovskite sem chumbo baseados no halogeneto CsSnX3 (Cl, Br) têm um grande potencial para aplicações optoelectrónicas e termoeléctricas devido à s suas propriedades fÃsicas notáveis e à sua natureza amiga do ambiente. Isto torna-os altamente atractivos para aplicações industriais.