Development, Design and Analysis of Type-II Hetero-Strained Nanosystem

Development, Design and Analysis of Type-II Hetero-Strained Nanosystem

Rasmita Barik / Rasmita Dhara

119,51 €
IVA incluido
Disponible
Editorial:
KS OmniScriptum Publishing
Año de edición:
2025
ISBN:
9786200381583
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This book investigates the advancement and analysis of strained channel cylindrical gate-all-around (CGAA) FETs. The study explores a nano-scale design incorporating three ultrathin strained layers: two outer layers of strained silicon (s-Si) and a middle layer of strained silicon germanium (s-SiGe), forming a heterostructure-on-insulator (HOI) within the CGAA FET. These strained layers in the channel effectively confine quantum carriers, thereby enhancing carrier mobility and reducing threshold voltage roll-off.

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