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L’application de l’identification par radiofréquence (RFID) à ultra-haute fréquence (UHF) a pris de l’ampleur depuis la ratification du protocole EPC Classe 1 Génération 2 (EPC C1G2, également connu sous le nom ISO 18000-6C). La disponibilité limitée des diodes à barrière Schottky (SBD) a stimulé la recherche de solutions de circuits alternatifs pour fabriquer des puces RFID UHF de performances comparables à l’aide de procédés CMOS classiques. Le frontal analogique RFID UHF comprend quatre éléments : un redresseur RF-CC UHF, une référence de tension et un régulateur, un modulateur et un démodulateur. Cet ouvrage identifie le MOSFET à seuil dynamique (DTMOST) comme un dispositif prometteur pour les applications à très faible consommation d’énergie et explore les topologies de circuits et les méthodologies de conception utilisant le DTMOST pour le frontal analogique RFID UHF. Toutes les conceptions et analyses de circuits ont été basées sur une technologie CMOS 0,18 µm à six couches métalliques et un seul polysilicium (1P6M) à triple puits. Les gains de performance, la consommation d’énergie, l’encombrement et les considérations de conception associés aux techniques DTMOST ont été comparés et contrastés avec les cellules traditionnelles.
