Ch. Sathyanarayana / K. Sandhya Rani / N. S. Murti Sarma
Librería Samer Atenea
Librería Aciertas (Toledo)
Kálamo Books
Librería Perelló (Valencia)
Librería Elías (Asturias)
Donde los libros
Librería Kolima (Madrid)
Librería Proteo (Málaga)
Celem projektowania SiNWFET z wykorzystaniem podwójnego spaceru k jest zmniejszenie SCE i zwiększenie stosunku prądu włączenia do prądu wyłączenia. Proponowane urządzenie skutecznie łączy różne mechanizmy obniżania subthreshold swing (SS). Dzięki zastosowaniu spacerów i złącza Schottky’ego uzyskujemy bardziej wydajny system, który poprawia parametry konstrukcyjne urządzenia, takie jak gęstość elektryczna, potencjał i rezystancja. Wyniki naszych symulacji pokazują, że chociaż przekładka o wysokim współczynniku κ poprawia wydajność urządzenia, taką jak ION, S/S, to wydajność urządzenia uległa poprawie i zmniejszyły się straty. W istniejącym SiNWFET zmniejszenie grubości tlenku bramki nie jest dobrym pomysłem, ponieważ powoduje to zmniejszenie stosunku prądu włączenia do prądu wyłączenia, chociaż S/S pozostaje w większości niezmienione. W normalnym FET bez przekładki ma on wysoki prąd wyłączenia i zwiększony efekt krótkiego kanału. W istniejącym urządzeniu prąd wyłączenia jest większy, a wydajność również zmniejszona. Przegląd, synteza i przeprowadzenie analizy literatury są rzeczywistymi miernikami standardowej lub podyplomowej próby przeglądu literatury. Dobrze zorganizowany i sformułowany przegląd najlepiej pokaże wkład i ramy dobrej metodologii.