LIBROS DEL AUTOR: k sandhya rani

5 resultados para LIBROS DEL AUTOR: k sandhya rani

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  • Badanie optymalnej konstrukcji urządzeń rekonfigurowalnych w nanoskali
    Ch. Sathyanarayana / K. Sandhya Rani / N. S. Murti Sarma
    Celem projektowania SiNWFET z wykorzystaniem podwójnego spaceru k jest zmniejszenie SCE i zwiększenie stosunku prądu włączenia do prądu wyłączenia. Proponowane urządzenie skutecznie łączy różne mechanizmy obniżania subthreshold swing (SS). Dzięki zastosowaniu spacerów i złącza Schottky’ego uzyskujemy bardziej wydajny system, który poprawia parametry konstrukcyjne urządzenia, ta...
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    53,73 €

  • Investigação do design ideal em dispositivos reconfiguráveis em nanoescala
    Ch. Sathyanarayana / K. Sandhya Rani / N. S. Murti Sarma
    O objetivo do design do SiNWFET utilizando espaçador duplo k é reduzir o SCE e aumentar a relação corrente ligada/desligada. O dispositivo proposto combina eficazmente diferentes mecanismos de redução do sub threshold swing (SS). Ao utilizar espaçadores e junção schottky, obtemos um sistema mais eficiente para melhorar as métricas de design, como densidade elétrica, potencial e...
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    53,73 €

  • Untersuchung des optimalen Designs für rekonfigurierbare Geräte im Nanobereich
    Ch. Sathyanarayana / K. Sandhya Rani / N. S. Murti Sarma
    Der Zweck des Designs von SiNWFET unter Verwendung eines Dual-K-Spacers besteht darin, den SCE zu reduzieren und das On-Off-Stromverhältnis zu erhöhen. Das vorgeschlagene Gerät kombiniert effektiv verschiedene Mechanismen zur Verringerung des Subthreshold Swing (SS). Durch die Verwendung von Spacern und Schottky-Übergängen erhalten wir ein effizienteres System zur Verbesserung ...
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    53,79 €

  • Studio della progettazione ottimale di dispositivi riconfigurabili su scala nanometrica
    Ch. Sathyanarayana / K. Sandhya Rani / N. S. Murti Sarma
    Lo scopo della progettazione di SiNWFET utilizzando un distanziatore doppio k è quello di ridurre l’SCE e aumentare il rapporto di corrente on-off. Il dispositivo proposto combina efficacemente diversi meccanismi di riduzione del sub threshold swing (SS). Utilizzando distanziatori e giunzioni Schottky otteniamo un sistema più efficiente per migliorare le metriche di progettazio...
    Disponible

    53,73 €

  • Étude de la conception optimale de dispositifs reconfigurables à l’échelle nanométrique
    Ch. Sathyanarayana / K. Sandhya Rani / N. S. Murti Sarma
    L’objectif de la conception du SiNWFET à double espaceur k est de réduire le SCE et d’augmenter le rapport courant marche/arrêt. Le dispositif proposé combine efficacement différents mécanismes permettant de réduire le sub threshold swing (SS). L’utilisation d’espaceurs et d’une jonction Schottky permet d’obtenir un système plus efficace pour améliorer les paramètres de concept...
    Disponible

    53,73 €