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O condutor, semicondutor (band gap direto e indireto) e isolante desempenham um papel importante nas áreas de investigação de Física e Materiais. Quase todos os materiais possuem algum tipo de propriedade eletrónica. Realizamos o cálculo para estudar a estrutura de bandas e a Densidade de Estado (DoS) utilizando o código WIEN no Método da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Neste trabalho é realizado o cálculo da estrutura de bandas para o manganês (Mn), silício (Si) - band gap indirecto, índio fósforo (In-P) band gap directo e bromo (Br) que concordam estreitamente com os resultados experimentais disponíveis. Além disso, a partir do estudo da Densidade de Estado total e parcial do Mn, vSi, In-P e Br observa-se que os materiais são Condutor, Semicondutor (gap de banda indireto e direto) e Isolador. Inicialmente a estrutura é otimizada com os parâmetros de rede existentes e as propriedades eletrónicas são determinadas para a estrutura otimizada. O perfil da banda e os histogramas de DoS sugerem a mobilidade dos eletrões da banda de valência para a banda de condução. A lacuna de energia existente/não existente entre a banda de valência e a banda de condução é explorada na natureza condutora dos materiais reportados.
