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Die II-VI-Verbindungshalbleiter sind aufgrund ihrer Anwendung in verschiedenen elektro-optischen Geräten von großer Bedeutung. Dünne ZnS-Schichten finden viele weitere Anwendungen im Bereich der Herstellung optoelektronischer Geräte wie UV-Leuchtdioden, blaue Leuchtdioden, emittierende Flachbildschirme, Elektrolumineszenzgeräte und Antireflexionsbeschichtungen in der Solarzellentechnik. Für die Herstellung von ZnS-Dünnschichten wurden verschiedene Methoden angewandt. Wir haben ZnS-Filme mit der Methode der chemischen Badabscheidung unter Verwendung von Natriumhydroxid als Komplexbildner abgeschieden. Die strukturellen und morphologischen Eigenschaften der Filme wurden mit Röntgenbeugung (XRD) und dem Rasterelektronenmikroskop untersucht. Das XRD zeigt, dass die abgeschiedene Schicht polykristallin ist und eine kubische Struktur aufweist. Die Korngröße liegt schätzungsweise im Bereich von 35-70 nm. Die Kristallinität des ZnS-Films wurde mittels HRTEM mit Hilfe des Elektronenbeugungsmusters analysiert. Die Filme zeigen gute optische Eigenschaften mit hoher Durchlässigkeit im sichtbaren Bereich und die Bandlücke wurde mit 3,3 eV - 2,1 eV bestimmt. ZnS-Filme können als Pufferschichten auf CdTe-Solarzellen verwendet werden.
