Sintesi e caratterizzazione di MOS-C con nanopunti incorporati per la memoria non volatile

Sintesi e caratterizzazione di MOS-C con nanopunti incorporati per la memoria non volatile

Mitra Barun Sarkar / Sabyasach Mukhopadhyay

73,20 €
IVA incluido
Disponible
Editorial:
KS OmniScriptum Publishing
Año de edición:
2026
ISBN:
9786630086133
73,20 €
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Sobre IBD

La realizzazione di dispositivi elettronici a bassa dimensionalità ha registrato un enorme aumento nel mondo odierno. Le tecniche di miniaturizzazione sono state perfezionate al fine di preservare le proprietà fondamentali dei dispositivi. I processi utilizzati nella fabbricazione su scala nanometrica sono sempre complessi, poiché in questo regime vari effetti quantistici legati alle dimensioni giocano un ruolo importante. Comprendere la fisica dei sistemi a bassa dimensionalità e il funzionamento dell’elettronica di prossima generazione sarà utile per apportare cambiamenti rivoluzionari all’umanità. Sono stati discussi i fenomeni relativi alle nanoparticelle e la discussione è stata suddivisa in due grandi categorie: sintesi e caratterizzazione del condensatore MOS con nanoparticelle incorporate. Sono stati osservati picchi di capacità nella regione di inversione dovuti al tunneling dei portatori nel punto quantico e alla carica da blocco di Coulomb nel punto quantico, il che ha chiarito i fenomeni di accumulo di carica delle nanoparticelle.

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