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Principi e usi della nanofotonica: QWs, QWWs e QDs di materiali nanostrutturati optoelettronici non lineari e la loro conseguenza fotoelettrica esterna: Utilizzando una legge di dispersione degli elettroni sviluppata di recente che tiene conto delle anisotropie delle costanti di spin-orbiting, degli elettroni di massa efficace e del controllo della divisione del campo cristallino nell’ambito del formalismo di k.p, l’effetto fotoelettrico esterno dei pozzi quantici, dei fili di pozzi quantici e dei punti quantici di materiali nanostrutturati ottici e optoelettronici non lineari. Inoltre, l’effetto fotoelettrico esterno è stato calcolato per materiali II-VI e materiali optoelettronici stressati confinati quantisticamente (come QWs, QWWs e QWs).Con l’ausilio di reticoli quantisticamente confinati Hg1-xCdxTe, CdGaAs2 e In1-xGaxAsyP1-y abbinati a CdS, InP e InSb stressato come esempi, si è scoperto che l’effetto fotoelettrico esterno mostra dei plateau in funzione dell’energia del fotone incidente, il che è fondamentale dal punto di vista sperimentale. Il nostro approccio generalizzato è specializzato nei risultati numerici dei semiconduttori degenerati III-V optoelettronici a restrizione quantistica.
