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Este estudo centra-se na investigação das propriedades estruturais, eletrónicas, óticas e elásticas das ligas completas de Heusler do tipo X₂TaSi (onde X = Rb e K), bem como do composto Mn₂HfAl. Foram realizados cálculos ab initio no âmbito da teoria do funcional da densidade (DFT), utilizando o método das ondas planas aumentadas linearizadas com potencial integral (FP-LAPW). Todos os cálculos foram efetuados com o código WIEN2k, adotando a aproximação do gradiente generalizado (GGA), seguida da versão modificada de Becke-Johnson (mBJ-GGA), a fim de melhorar a precisão da estimativa da lacuna de energia. Os resultados eletrónicos indicam que os compostos estudados apresentam um comportamento semicondutor distinto, regido pela estrutura das faixas de energia. Os cálculos ópticos, realizados para os compostos K₂TaSi e Rb₂TaSi, revelam uma forte absorção, bem como uma elevada refletividade na região do ultravioleta, sugerindo o seu potencial para aplicações ópticas e optoeletrónicas nesta gama espectral.