LibrerÃa Samer Atenea
LibrerÃa Aciertas (Toledo)
Kálamo Books
LibrerÃa Perelló (Valencia)
LibrerÃa ElÃas (Asturias)
Donde los libros
LibrerÃa Kolima (Madrid)
LibrerÃa Proteo (Málaga)
W niniejszej pracy zbadaliśmy stabilność dynamiczną, właściwości strukturalne, elektroniczne i termoelektryczne stopów typu HfxSi1-xO2, stosując metodę liniaryzowanych fal płaskich o całkowitym potencjale (FP-LAPW) w ramach teorii funkcjonału gęstości (DFT) zaimplementowanej w kodzie Wien2k. Potencjał wymiany i korelacji był traktowany przy użyciu różnych aproksymacji, takich jak GGA. Uzyskane wyniki elektroniczne wykazały, że HfSi3O8 ma charakter półprzewodnika z bezpośrednią przerwą energetyczną równą 3,909 eV, przy użyciu aproksymacji GGA. W przypadku związków HfSiO4 i Hf3SiO8 wyniki badania struktury pasmowej wskazują, że oba związki są półprzewodnikami z pośrednią przerwą energetyczną o wartościach prognozowanych wynoszących odpowiednio 7,2 eV i 5,2 eV dla HfSiO4 i Hf3SiO8. Uzyskane właściwości termoelektryczne i stabilność dynamiczna wskazują, że związki te są bardzo sztywne, nieodkształcalne i silnie uporządkowane.