LIBROS DEL AUTOR: valeri benkendorf

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  • Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Trench-MOS-Leistungstransistoren
    Valeri Benkendorf
    Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Als das Ziel dieser Diplomarbeit wurde die Untersuchungen der elektrischen Eigenschaften der 40V-MOS-Leitungstransistoren festgelegt, die auf der Basis einer 0,6 µm-Technologie mit vertikalen Gräben (Trenchen) am IMS entwickelt wurden. Insbesondere standen in dem Vordergrund die Ausbeuteprobleme bei dem Gateoxid zu analysieren. Dazu wurden die V...
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